仕様:HCXYCV8/18X-ε20/50-(Φ1.5~3)mm×(5~30)mm;
パラメータ：フェライト飽和磁化800〜1800Gs、強磁性共鳴線幅≤30Oe、誘電体セラミックの誘電率20〜50。
特徴: フェライト損失が小さく、複合基板により全体の誘電率が効果的に向上し、デバイスのサイズが縮小され、最終的にシステムの安定性、安全性、信頼性が向上します。
用途：5G通信のサーキュレータやアイソレータに広く使用可能
