规格:HCXYGd8/18P-2in
参数:饱和磁化强度800~1800Gs,铁磁共振线宽≤50Oe;
产品特点:损耗低,温度稳定性好,可承受大功率;
应用:可广泛应用于连续功率、脉冲功率同轴、波导、微带器件
规格:HCXNZ20/53D-2英寸
参数:饱和磁化强度2000~5300Gs,铁磁共振线宽100~250Oe;
应用:可广泛应用于同轴、波导、微带器件,包括环行器、隔离器等
规格:HCXLZ30/50J-(Φ1.5~3)mm×(5~30)mm;
参数:饱和磁化强度3000~5000Gs,铁磁共振线宽≤300Oe;
产品特点:损耗小、矩形度高、温度稳定性好;
应用范围:可广泛应用于同轴、波导、微带器件,包括环行器、隔离器、移相器等
规格:HCBCV8/18E-(Φ1.5~10)mm×(0.4~3)mm;
参数:铁氧体饱和磁化强度1200~1800Gs,铁磁共振线宽≤100Oe,介电常数18~30;
特点:铁氧体损耗小,介电常数高,有助于微波器件的小型化、轻量化
规格:HCXYCV8/18X-ε20/50-(Φ1.5~3)mm×(5~30)mm;
参数:铁氧体饱和磁化强度800~1800Gs,铁磁共振线宽≤30Oe,介质陶瓷介电常数20~50;
特点:铁氧体损耗小,复合基板可有效提高整体介电常数,缩小器件尺寸,最终提高系统的稳定性、安全性和可靠性
应用:可广泛应用于5G通信环行器、隔离器
规格:HCXNZ20/53D-Aε20/50-2in
参数:铁氧体饱和磁化强度2000-5300gs,铁磁共振线宽100-250Oe,介质陶瓷介电常数20-50;
产品特性:复合基板材料耐温超过500℃,满足器件薄膜电路磁控溅射高温工艺及可靠性技术要求,有助于大幅缩小器件尺寸,并显着降低器件插入损耗,提高设备的性能
规格:HCXYGd8/18P-Aε20/50-2in
参数:铁氧体饱和磁化强度800~1800Gs,铁磁共振线宽≤50Oe,介质陶瓷介电常数20~50;